Número do Produto do Fabricante:
BUZ32 H
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BUZ32 H-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
12801500
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BUZ32 H Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BUZ32 H-DG
BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF630
FABRICANTE
Harris Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11535
NÚMERO DA PEÇA
IRF630-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.80
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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